Рассмотрены наиболее перспективные технологические возможности формирования наноразмерных кремниевых структур (ГФЭ, МЛЭ, ХОГФ, ионный синтез). Рассмотрены технологические, электрические и оптические свойства систем Ge/Si и GeSi/Si (квантовые точки, квантовые проволоки и тонкие пленки). Отдельно рассмотрены возможности моделирования квантовых свойств и энергетического спектра кремниевых наносистем и приборов (нанотранзисторы, одноэлектронные транзисторы и т. д. ).
Файлы для скачивания доступны в течении 4х часов после создания ссылок.
Не закрывайте это окно до окончания скачивания, иначе вам прийдется заново делать запрос на файлы.