Рассмотрены основные виды шумов в электронных устройствах (в частности, в входных каскадах линейных усилителей, генераторах и т. п.). Достижение малого уровня шума в этих устройствах — один из определяющих факторов получения хорошего амплитудного и временного разрешения в спектрометрии ионизирующих излучений и одна из важнейших проблем радиоэлектроники.

В книге изложены основные физические явления и закономерности, лежащие в основе технологических методов и процессов, используемых в производстве современных электронных приборов и интегральных микросхем. Изложение материала построено так, чтобы дать читателю возможность самостоятельно сформировать общие физико-технологические представления путем изучения основных физических, химических и электрохимических закономерностей, как правило, без обращения к другой литературе.

В книге известного американского специалиста последовательно излагаются принципы действия разнообразных электронных схем и устройств. Описаны методы конструирования цифровых приборов и систем на основе серийных микросхем. Книга содержит большое количество иллюстраций, облегчающих усвоение материала.

В данном справочнике изложены основные сведения по применению интегральных операционных усилителей в электронной аппаратуре различного назначения. Рассмотрены принципы построения электронных схем типовых функциональных узлов: усилителей, источников напряжения и тока, фильтров, модуляторов, демодуляторов, генераторов, пороговых устройств, измерительных преобразователей электрических и неэлектрических величин, аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователей и др.

Рассмотрены принципы действия и приведены характеристики и основные параметры полупроводниковых оптоэлектронных приборов. Рассмотрены основные области и схемотехнические вопросы применения светодиодов и индикаторов на основе светодиодов, излучателей инфракрасного спектра, оптронов и фотоприемников, оптоэлектронных, микросхем.

Книга содержит изложение основных представлений современной теории неупорядоченных полупроводников. Подробно обсуждаются новые идеи, возникшие в связи с изучением движения частиц в случайных полях, характеристики которых заданы только статистически (идея о "самоусредняющихся" величинах, локализация электронов в случайных потенциальных ямах и другие). Выясняется, какие представления стандартной зонной теории сохраняют силу и в применении к неупорядоченным полупроводникам. Рассматриваются развитые в последнее десятилетие методы расчета энергетических, электрических и оптических характеристик неупорядоченных систем (в частности, метод оптимальной флуктуации, квазиклассическое приближение и теория протекания).