Излагаются основные физические принципы построения фотоприемников ИК излучения. Рассмотрены тепловые, одиночные и матричные фотонные (GaAs, InSb, HgCdTe и т. д. ), фотоэмиссионные приемники, применение ПЗС в приемниках ИК излучения. Проанализировано влияние различных факторов на основные параметры фотоприемников. Указаны предельно достижимые значения параметров, проведено сравнение с уровнем, достигнутым экспериментально.

Авторы:   Формозов Б.Н.

Категории:   Фотография

Формат: pdf